LED 에피택셜 웨이퍼의 성장 과정에서 어떤 측면에 주의해야 합니까?

1. 기판 준비:에피택셜 성장을 위한 좋은 기반을 제공하려면 기판이 깨끗하고 결함이 없는지 확인하십시오.

2. 성장 환경 설정:반응 챔버의 온도와 가스 유량을 조정하여 성장 과정에 적합한 환경을 조성합니다.

3. 반응성 가스 도입:반응 가스(예: 사염화규소, 삼염화수소화규소, 실란 등)를 반응 챔버에 도입하고 도펀트(예: 포스포란, 에틸보란 등)를 도입하여 에피택셜 층의 전도성 및 저항률 유형을 제어합니다.

4. 화학반응과 성장:고온 조건에서 반응성 가스는 격자 구조에 따라 기판 표면에 배열되어 단결정 층을 형성합니다.

5. 냉각 및 제거:에피택셜 층은 실온으로 냉각되고 반응 챔버에서 제거됩니다.